Төмен шу 1550нм наносекундтық импульстік талшықты лазерлік модуль Өндірушілер

1550 нм 40 мВт 600 кГц DFB Butterfly Package тар желілік лазерлік диод бірегей жалғыз DFB чипіне негізделген, бірегей чип дизайнын, жетілдірілген орау технологиясын қабылдайды, желінің ені төмен және салыстырмалы қарқынды шуға ие және толқын ұзындығы мен жұмыс токына сезімталдығы төмен. Құрылғы жоғары шығыс қуатымен, жоғары тұрақтылықпен, жоғары сенімділікпен стандартты 14 істікшелі көбелек пакетін қабылдайды.

Сорғы көзіне арналған 808 нм 25 Вт диодты лазерлік талшық жарықтандыруда, айдауда және материалды өңдеуде кеңінен қолданылады. BoxOptronics-те патентті біріктіретін және 808 нм талшықты диодты лазердің шығыс қуаты 20 Вт-қа дейін болуы мүмкін арнайы эмиттер бар. Біз сондай-ақ сіздің талаптарыңызға сәйкес толқын ұзындығы мен қуатын реттей аламыз.

Үстелдік типтегі Эрбиум қосылған талшықты кірістірілген күшейткіш жоғары күшейткішпен, жоғары жіберу қуатымен және салыстырмалы түрде төмен шумен PA күшейткіші мен BA күшейткішінің артықшылықтарын біріктіреді.

905 нм 70 Вт импульстік лазерлік чип, шығыс қуаты 70 Вт, ұзақ қызмет ету мерзімі, жоғары тиімділік, LiDAR, өлшеу құралдарында, қауіпсіздікте, ҒЗТКЖ және басқа салаларда кеңінен қолданылады.

BoxOptronics дисперсиялық компенсация поляризациясын қолдау Эрбия қоспасы бар талшық негізінен 1,5 μм талшықты лазер үшін қолданылатын жоғары қоспалау және поляризацияны сақтайтын дизайнды қабылдайды. Талшықтың бірегей өзегі және сыну көрсеткіші профилінің дизайны оны жоғары қалыпты дисперсияға және тамаша поляризацияны сақтайтын сипаттамаларға ие етеді. Талшықта жоғары легирленген концентрация бар, ол талшықтың ұзындығын қысқартуы мүмкін, осылайша сызықтық емес әсерлердің әсерін азайтады. Сонымен қатар, оптикалық талшық төмен сплайс жоғалтуын және күшті иілу қарсылығын көрсетеді. Жақсы консистенциясы бар.

830нм 2 Вт талшықты қосылатын диодты лазер жоғары тиімділік, тұрақтылық және жоғары сәуле сапасы бар көлемді өнімдерді шығаруға арналған. Өнімдерге арнайы микрооптиканы қолдану арқылы лазерлік диод микросхемасынан асимметриялық сәулеленуді өзек диаметрі кіші шығыс талшыққа айналдыру арқылы қол жеткізіледі. Әр аспектіде тексеру және күйдіру процедуралары әрбір өнімнің сенімділігін, тұрақтылығын және ұзақ қызмет ету мерзімін қамтамасыз ету үшін нәтиже береді.