1576нм 10мВт DFB Butterfly лазерлік диод Өндірушілер

Оптикалық талшықты байланысқа арналған бағдарламаланатын оптикалық әлсіреткіш қуат бақылауымен, үлкен әлсіреу диапазонымен, жоғары реттеу дәлдігімен және үстел үсті түрін немесе модульдік қаптаманы қамтамасыз ете алатын тұрақты қуатпен оптикалық талшық жолындағы оптикалық қуатты әлсіретуді басқару үшін пайдаланылады.

BoxOptronics Panda Polarization Maintaining PM Erbium Legion Fiber негізінен 1,5μm поляризацияны сақтайтын оптикалық күшейткіштерде, лидар және көзге қауіпсіз лазерлік өнімдерде қолданылады. Эрбий легирленген талшықты қолдайтын поляризация жоғары қос сынғыштыққа және тамаша поляризацияны сақтайтын сипаттамаларға ие. Талшықтың жоғары легирленген концентрациясы бар, ол қажетті сорғы қуатын және талшық ұзындығын азайтады, осылайша сызықтық емес әсерлердің әсерін азайтады. Сонымен қатар, оптикалық талшық төмен сплайс жоғалтуын және күшті иілу қарсылығын көрсетеді. BoxOptronics Laser оптикалық талшықты дайындау процесіне негізделген, поляризацияны сақтайтын эрбий қосылған оптикалық талшық жақсы консистенцияға ие.

1390 нм DFB 2 мВт коаксиалды пигтейльді лазерлік диод DFB чипін пайдаланудың арқасында тамаша модельдеу өнімділігіне ие. Шығу қуаты тұтынушы қажеттіліктеріне негізделген 1-4 мВт аралығында басқарылады, бұл бұл лазерлік модульді CATV, сандық және аналогтық сигналдарды жіберуде пайдалану үшін тамаша етеді.

Butterfly Package ішіндегі 1533 нм DFB лазерлік диод - бұл 14 істікшелі көбелек тәрізді талшықпен біріктірілген орауыштағы жоғары өнімді бір көлденең режимі 1533 нм таратылған кері байланыс лазері. Лазер 1533 нм толқын ұзындығында 10 мВт CW қуатын шығарады. Бұл талшықты ұшты лазер талшықты-оптикалық сынақта, өлшеу жабдықтарында, газды анықтауда жарық көзі ретінде пайдалануға арналған.

1 мм InGaAs/InP PIN фотодиод чипі 900 нм-ден 1700 нм-ге дейін тамаша жауап береді, 1 мм InGaAs/InP PIN фотодиод чипі жоғары өткізу қабілеттілігі 1310 нм және 1550 нм оптикалық желі қолданбалары үшін өте қолайлы. Құрылғылар сериясы жоғары өнімділік пен сезімталдығы төмен қабылдағыш дизайны үшін жоғары жауаптылықты, төмен қараңғы токты және жоғары өткізу қабілеттілігін ұсынады. Бұл құрылғы оптикалық қабылдағыштарды, транспондерлерді, оптикалық тарату модульдерін және біріктірілген PIN фотодиодты – трансимпеданс күшейткішін өндірушілер үшін өте қолайлы.

50um InGaAs Avalanche Photodiode чипі кері кернеуді қолдану арқылы пайда болатын ішкі күшейтулі фотодиод болып табылады. Олардың фотодиодтарға қарағанда сигнал-шу қатынасы (SNR) жоғарырақ, сонымен қатар жылдам уақыт реакциясы, төмен қараңғы ток және жоғары сезімталдық бар. Спектрлік жауап диапазоны әдетте 900 - 1650 нм аралығында болады.