Жоғары сенімділік, тұрақты шығыс қуаты, жоғары қуат, жоғары тиімділік, ұзақ қызмет ету және жоғары үйлесімділік сияқты көптеген артықшылықтары бар AuSn байланысы мен P Down пакетін қолданатын COS лазерлік диодтың қосалқы қосылымындағы 915 нм 12 Вт чип және нарықта кеңінен қолданылады.
785 нм 2 Вт салқындатылмаған мультимодалы лазерлік диод модулі зертханалық зерттеулерде, лазерлік айдауда, медициналық, басып шығаруда, материалдарды өңдеуде кеңінен қолданылады.
1270 нм DFB 10 мВт Butterfly лазерлік диоды герметикалық жабылған 14 істікшелі көбелек қаптамасында жасалған. Лазерлік диодтарда жоғары сапалы лазер өнімділігін қамтамасыз ету үшін термоэлектрлік салқындатқыш (TEC), термистор, монитор фотодиод, оптикалық изолятор бар. Бізде сонымен қатар SM талшықтарының, PM талшықтарының және басқа да арнайы талшықтардың шығыс қуаттарын, қаптама түрлерін және шығыс талшықтарын тұтынушының толық таңдауы бар, біз сондай-ақ толқын ұзындығын теңшей аламыз, ол 1270 нм-ден 1650 нм-ге дейін қамтиды.
BoxOptronics Erbium-ytterbium Co-doped Triple Clad Single Mode Fiber негізінен лазерлік радар, лазерлік диапазон, байланыс күшейту және басқа салаларда қолданылады. Оптикалық талшық екінші қаптау материалы ретінде төмен сыну көрсеткіші фтор қосылған кремнеземді пайдаланады, ол аз сплайс жоғалту және жоғары жарықтан жарыққа айналу тиімділігімен ғана емес, сонымен қатар жақсы жоғары температураға төзімділікке ие. Оптикалық талшық сіңіру коэффициентін реттей алады және жақсы консистенциямен спектрді алады.
Бұл 1610 нм 5 мВт TO-CAN DFB лазерлік диод - төмен температура-толқын ұзындығы коэффициенті бар кең температура диапазонында жұмыс істейтін өнім. Ол талшықтағы немесе бос кеңістіктегі қашықтықты өлшеуге арналған байланыс зерттеулері, интерферометрия және оптикалық рефлексометрия сияқты қолданбаларға өте қолайлы. Әрбір құрылғы сынақтан және күйіп кетуден өтеді. Бұл лазер 5,6 мм құтыға салынған. Оның қақпағында кіріктірілген асфералық фокустау линзасы бар, ол фокус нүктесі мен сандық апертураны (NA) SMF-28e+ талшығымен сәйкестендіруге мүмкіндік береді.
200um InGaAs көшкін фотодиодтары APDs – 1100-ден 1650 нм-ге дейінгі толқын ұзындығы диапазонында жоғары жауап беру қабілеті және өте жылдам көтерілу және төмендеу уақыты бар, 1550 нм-дегі ең жоғары жауап беру мүмкіндігі бар коммерциялық қол жетімді ең үлкен InGaAs APD, оптикалық байланыс, бос кеңістік қолданбалары үшін өте қолайлы. OTDR және оптикалық когерентті томография. Чип модификацияланған TO пакетінде герметикалық жабылған, пигтейлді опция да қол жетімді.
Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Қытай талшықты-оптикалық модульдері, талшықты қосылатын лазерлер өндірушілері, лазерлік компоненттерді жеткізушілер Барлық құқықтар қорғалған.
