Жақында Қытайдың ұлттық жаратылыстану қорының, Шэньчжэньдегі іргелі зерттеулердің және басқа жобалардың қолдауымен Харбин технология институтының (Шэньчжэнь) микро-нано оптоэлектроника тобының мүшесі, ассистент профессор Цзинь Лимин профессор Ван Фэн және профессор Чжумен ынтымақтасады. Шиде, Гонконг қалалық университетінде және халықаралық танымал Nature-Communications журналында ғылыми мақала жариялады. Харбин технологиялық институты (Шэньчжэнь) байланыс бөлімшесі болып табылады.
Er3+ сенсибилизацияланған интенсивті терең ультракүлгін чиптегі лазерлік құрылғылар және олардың нанобөлшектерді анықтаудағы қолданылуы
Мақалада когерентті ультракүлгін сәуленің қоршаған орта және өмір туралы ғылымдарда маңызды қолданбалары бар, дегенмен тікелей ультракүлгін лазерлер тікелей өндіру және пайдалану шығындарында шектеулерге тап болады. Зерттеу тобы тандемді жоғары түрлендіру процесі арқылы жанама түрде жасалған DUV лазерлік стратегиясын ұсынды, яғни 1550 нанометрлік ұзақ қашықтыққа байланысты толқын ұзындығының қозуы кезінде 290 нанометрде DUV лазерінің шығуына қол жеткізу үшін көп қабықшалы нанобөлшектерді құру. Әртүрлі оптикалық компоненттер оңай қол жетімді жетілген телекоммуникация индустриясында бұл зерттеу нәтижелері құрылғы қолданбалары үшін қолайлы миниатюрленген қысқа толқынды лазерлерді құру үшін өміршең шешімді қамтамасыз етеді.
Жоғарыдағы зерттеулерге қатысты мақалада 1260 нм (â3,5 эВ) үлкен анти-Стокс ығысуы әртүрлі жоғары түрлендіру процестерінің сериясының қатарын тудыратынын айтады. Бұл экспериментте Tm3+ және Er3+ жоғары түрлендіру процестері әртүрлі жоғары түрлендіру процестері арасындағы бақыланбайтын энергия алмасуынан туындаған қоздыру энергиясының диссипациясын азайту үшін көп қабықшалы наноқұрылымдар арқылы әртүрлі қабықтарда шектелген. Бұл құжат Ce3+ допинг доминоның жоғары конверсиясын жүзеге асыру үшін қажетті шарт екенін көрсетеді, өйткені Ce3+ кросс-релаксация арқылы Er3+ жоғары ретті жоғары конверсиясын басады және 4I11/2 энергетикалық деңгейі басым популяциялық инверсияны жүзеге асырады, бұл Er3+âYb3+ энергиясының тасымалдануы және одан кейінгі Yb3+âTm3+ жоғары түрлендіру процесі.
Команда бұл материалды оптикалық сипаттау үшін жоғары Q (2×105) микросхемадағы микро сақиналы лазерлік құрылғымен біріктірді және алғаш рет Er3+-сенсибилизацияланған қарқынды терең ультракүлгін жоғары түрлендіру лазерлік сәулеленуін байқады, Tm3+ доминоның жоғары түрлендіру процесі иондық. бес фотонды жоғары түрлендіру сәулеленуі лазер қуысының Q-факторына сезімтал және 290 нм лазер табалдырығын өзгертуді бақылау арқылы нанобөлшектерді анықтауға мүмкіндік беретін рак клеткаларының секрециясын имитациялайтын ұқсас өлшемді полистирол моншақтарымен өлшеу өлшемдері орындалды. кішкентай 300 нм.
Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Қытай талшықты-оптикалық модульдері, талшықты қосылатын лазерлер өндірушілері, лазерлік компоненттерді жеткізушілер Барлық құқықтар қорғалған.
