Өнімдер

1030нм 200мВт 100КГц DFB көбелек лазерлік диод
  • 1030нм 200мВт 100КГц DFB көбелек лазерлік диод 1030нм 200мВт 100КГц DFB көбелек лазерлік диод
  • 1030нм 200мВт 100КГц DFB көбелек лазерлік диод 1030нм 200мВт 100КГц DFB көбелек лазерлік диод
  • 1030нм 200мВт 100КГц DFB көбелек лазерлік диод 1030нм 200мВт 100КГц DFB көбелек лазерлік диод
  • 1030нм 200мВт 100КГц DFB көбелек лазерлік диод 1030нм 200мВт 100КГц DFB көбелек лазерлік диод

1030нм 200мВт 100КГц DFB көбелек лазерлік диод

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode - жоғары қуатты, тар желілік DFB көбелек пакеттік лазерлік диод, талшықты лазерлер үшін тұқым көзі ретінде немесе дәл спектрлік өлшеулер үшін кеңінен қолданылады.

Сұрау жіберу

Өнім Сипаттамасы

1.Қорытынды:

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode – жоғары қуатты, тар желілік DFB көбелек пакеттік лазерлік диод,  талшықты лазерлер үшін немесе дәл спектрлік өлшеулер үшін тұқым көздері ретінде кеңінен қолданылады.


2. Ерекшеліктер:

• 200 мВт жоғары шығыс қуаты;

• 100 кГц-тен төмен тар сызық ені;

• PM талшығы 18дБ жоғары PER;

• 14PIN Butterfly пакеті;

• Ішкі термоэлектрлік жылу сорғысы және монитордың фотодиоды;

• Далада дәлелденген жоғары сенімділік.

Сенімділік:Telcordia GR-468. RoHS


3. Қолданбалар:

• Лазерлер үшін тұқым көзі;

• Спектроскопия;

• Оптикалық зондтау.


4. Абсолютті максималды рейтингтер

Параметр Таңба Мин. Макс. Бірлік
LD Кері ток IR - 2 V
LD Алға ток ЕГЕР - 500 мА
MPD Кері кернеу VMPD - 20 V
Термоэлектрлік салқындатқыштың кернеуі VTEC - 4.8 V
Термоэлектрлік салқындатқыш тогы ITEC - 2.5 A
Жұмыс корпусының температурасы TC -45 70 ℃
Сақтау температурасы TSTG -40 85 ℃
Сақтау ылғалдылығы - 5 85 % RH
Электр статикалық разряд (ESD) VESD - 500 V
Қорғасынды дәнекерлеу температурасы STEMP - 260 ℃
Қорғасынды дәнекерлеу уақыты STIME 10 сек


5.  Электро-оптикалық сипаттамалар (25℃ лазер температурасы):

Параметр Таңба Шарт Мин. Түр. Макс. Бірлік
Орталық толқын ұзындығы λc TL = 15~35℃ CW 1028 1030 1032 nm
Оптикалық шығыс қуаты PO TL=25℃ - 200 - мВт
Шекті ток ITH TL=25℃ - 45 70 мА
Жұмыс кернеуі VOP POP= 200мВт(CW) - - 2.5 V
Жұмыс тогы Iop POP= 200мВт(CW) - 300 500 мА
Сызықтың ені Δλ - - 30 100 КГц
Бүйірлік режимді басу коэффициенті SMSR - - 40 - дБ
Поляризацияның өшу коэффициенті ER - 18 - - дБ
Темп. толқын ұзындығының коэффициенті Δλ/ΔT - - 0.08 - нм/℃
MPD жауаптылығы IMON/POP @-5V ауытқу кернеуі 1 - 30 мкА/мВт
Термистор кедергісі RTH - 9.5 10 10.5 KΩ


6. Оптикалық талшықты техникалық сипаттамалар:

Параметрлер Сипаттама
Талшық түрі PM980
Шошқа түрі 900 мкм бос түтік
Шошқа ұзындығы 1,2±0,1м
Қосқыш түрі FC/APC


7. Пакет сызбасы және PIN-OUT анықтамасы (бірлік: мм):

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode

2 түрі

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode
PIN Сипаттама PIN Сипаттама
1 TEC(+) 14 TEC(-)
2 Термистор 13 Кейс негізі
3 PD мониторының аноды (-) 12 NC
4 PD мониторы катод (+) 11 Лазерлік катод (-)
5 Термистор 10 Лазерлік анод (+)
6 NC 9 NC
7 NC 8 NC
Hot Tags: 1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode, Өндірушілер, Жабдықтаушылар, Көтерме, Зауыт, Теңшелген, Жаппай, Қытай, Қытайда жасалған, Арзан, Төмен баға, Сапа
X
Біз cookie файлдарын сізге жақсырақ шолу тәжірибесін ұсыну, сайт трафигін талдау және мазмұнды жекелендіру үшін пайдаланамыз. Осы сайтты пайдалану арқылы сіз cookie файлдарын пайдалануымызға келісесіз. Құпиялылық саясаты
Қабылдамау Қабылдау